Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STI33N65M2
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
Číslo dílu
STI33N65M2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ M2
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK
Ztráta energie (max.)
190W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
140 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
41.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1790pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7877 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STI33N65M2
STI33N65M2 Elektronické komponenty
STI33N65M2 Odbyt
STI33N65M2 Dodavatel
STI33N65M2 Distributor
STI33N65M2 Datová tabulka
STI33N65M2 Fotky
STI33N65M2 Cena
STI33N65M2 Nabídka
STI33N65M2 Nejnižší cena
STI33N65M2 Vyhledávání
STI33N65M2 Nákup
STI33N65M2 Chip