STS10DN3LH5
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Číslo dílu
STS10DN3LH5
Výrobce/značka
Série
STripFET™ V
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2.5W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
21 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.6nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
475pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19792 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STS10DN3LH5
STS10DN3LH5 Elektronické komponenty
STS10DN3LH5 Odbyt
STS10DN3LH5 Dodavatel
STS10DN3LH5 Distributor
STS10DN3LH5 Datová tabulka
STS10DN3LH5 Fotky
STS10DN3LH5 Cena
STS10DN3LH5 Nabídka
STS10DN3LH5 Nejnižší cena
STS10DN3LH5 Vyhledávání
STS10DN3LH5 Nákup
STS10DN3LH5 Chip