STS10P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
Číslo dílu
STS10P3LLH6
Výrobce/značka
Série
STripFET™ H6
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.7W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21157 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STS10P3LLH6
STS10P3LLH6 Elektronické komponenty
STS10P3LLH6 Odbyt
STS10P3LLH6 Dodavatel
STS10P3LLH6 Distributor
STS10P3LLH6 Datová tabulka
STS10P3LLH6 Fotky
STS10P3LLH6 Cena
STS10P3LLH6 Nabídka
STS10P3LLH6 Nejnižší cena
STS10P3LLH6 Vyhledávání
STS10P3LLH6 Nákup
STS10P3LLH6 Chip