Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK25E60X,S1X

TK25E60X,S1X

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
Číslo dílu
TK25E60X,S1X
Série
DTMOSIV-H
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
180W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
125 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30068 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TK25E60X,S1X
TK25E60X,S1X Elektronické komponenty
TK25E60X,S1X Odbyt
TK25E60X,S1X Dodavatel
TK25E60X,S1X Distributor
TK25E60X,S1X Datová tabulka
TK25E60X,S1X Fotky
TK25E60X,S1X Cena
TK25E60X,S1X Nabídka
TK25E60X,S1X Nejnižší cena
TK25E60X,S1X Vyhledávání
TK25E60X,S1X Nákup
TK25E60X,S1X Chip