Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK25V60X,LQ

TK25V60X,LQ

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Číslo dílu
TK25V60X,LQ
Série
DTMOSIV-H
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
4-VSFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
4-DFN-EP (8x8)
Ztráta energie (max.)
180W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
135 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19604 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TK25V60X,LQ
TK25V60X,LQ Elektronické komponenty
TK25V60X,LQ Odbyt
TK25V60X,LQ Dodavatel
TK25V60X,LQ Distributor
TK25V60X,LQ Datová tabulka
TK25V60X,LQ Fotky
TK25V60X,LQ Cena
TK25V60X,LQ Nabídka
TK25V60X,LQ Nejnižší cena
TK25V60X,LQ Vyhledávání
TK25V60X,LQ Nákup
TK25V60X,LQ Chip