Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK31E60W,S1VX
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
Číslo dílu
TK31E60W,S1VX
Výrobce/značka
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
230W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Super Junction
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14565 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK31E60W,S1VX
TK31E60W,S1VX Elektronické komponenty
TK31E60W,S1VX Odbyt
TK31E60W,S1VX Dodavatel
TK31E60W,S1VX Distributor
TK31E60W,S1VX Datová tabulka
TK31E60W,S1VX Fotky
TK31E60W,S1VX Cena
TK31E60W,S1VX Nabídka
TK31E60W,S1VX Nejnižší cena
TK31E60W,S1VX Vyhledávání
TK31E60W,S1VX Nákup
TK31E60W,S1VX Chip