Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK31E60X,S1X
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
Číslo dílu
TK31E60X,S1X
Výrobce/značka
Série
DTMOSIV-H
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
230W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Super Junction
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
88 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36207 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK31E60X,S1X
TK31E60X,S1X Elektronické komponenty
TK31E60X,S1X Odbyt
TK31E60X,S1X Dodavatel
TK31E60X,S1X Distributor
TK31E60X,S1X Datová tabulka
TK31E60X,S1X Fotky
TK31E60X,S1X Cena
TK31E60X,S1X Nabídka
TK31E60X,S1X Nejnižší cena
TK31E60X,S1X Vyhledávání
TK31E60X,S1X Nákup
TK31E60X,S1X Chip