Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK31N60X,S1F

TK31N60X,S1F

MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
Číslo dílu
TK31N60X,S1F
Série
DTMOSIV-H
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Ztráta energie (max.)
230W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Super Junction
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
88 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25146 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TK31N60X,S1F
TK31N60X,S1F Elektronické komponenty
TK31N60X,S1F Odbyt
TK31N60X,S1F Dodavatel
TK31N60X,S1F Distributor
TK31N60X,S1F Datová tabulka
TK31N60X,S1F Fotky
TK31N60X,S1F Cena
TK31N60X,S1F Nabídka
TK31N60X,S1F Nejnižší cena
TK31N60X,S1F Vyhledávání
TK31N60X,S1F Nákup
TK31N60X,S1F Chip