Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK31V60W5,LVQ

TK31V60W5,LVQ

MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
Číslo dílu
TK31V60W5,LVQ
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TA)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
4-VSFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
4-DFN-EP (8x8)
Ztráta energie (max.)
240W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
109 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34042 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TK31V60W5,LVQ
TK31V60W5,LVQ Elektronické komponenty
TK31V60W5,LVQ Odbyt
TK31V60W5,LVQ Dodavatel
TK31V60W5,LVQ Distributor
TK31V60W5,LVQ Datová tabulka
TK31V60W5,LVQ Fotky
TK31V60W5,LVQ Cena
TK31V60W5,LVQ Nabídka
TK31V60W5,LVQ Nejnižší cena
TK31V60W5,LVQ Vyhledávání
TK31V60W5,LVQ Nákup
TK31V60W5,LVQ Chip