TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
Číslo dílu
TK31V60X,LQ
Výrobce/značka
Série
DTMOSIV-H
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
4-VSFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
4-DFN-EP (8x8)
Ztráta energie (max.)
240W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Super Junction
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
98 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9799 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK31V60X,LQ
TK31V60X,LQ Elektronické komponenty
TK31V60X,LQ Odbyt
TK31V60X,LQ Dodavatel
TK31V60X,LQ Distributor
TK31V60X,LQ Datová tabulka
TK31V60X,LQ Fotky
TK31V60X,LQ Cena
TK31V60X,LQ Nabídka
TK31V60X,LQ Nejnižší cena
TK31V60X,LQ Vyhledávání
TK31V60X,LQ Nákup
TK31V60X,LQ Chip