Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK35E08N1,S1X

TK35E08N1,S1X

MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
Číslo dílu
TK35E08N1,S1X
Série
U-MOSVIII-H
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
72W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.2 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 300µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35022 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TK35E08N1,S1X
TK35E08N1,S1X Elektronické komponenty
TK35E08N1,S1X Odbyt
TK35E08N1,S1X Dodavatel
TK35E08N1,S1X Distributor
TK35E08N1,S1X Datová tabulka
TK35E08N1,S1X Fotky
TK35E08N1,S1X Cena
TK35E08N1,S1X Nabídka
TK35E08N1,S1X Nejnižší cena
TK35E08N1,S1X Vyhledávání
TK35E08N1,S1X Nákup
TK35E08N1,S1X Chip