Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK35N65W5,S1F

TK35N65W5,S1F

MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
Číslo dílu
TK35N65W5,S1F
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Ztráta energie (max.)
270W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
95 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
115nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4100pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15507 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TK35N65W5,S1F
TK35N65W5,S1F Elektronické komponenty
TK35N65W5,S1F Odbyt
TK35N65W5,S1F Dodavatel
TK35N65W5,S1F Distributor
TK35N65W5,S1F Datová tabulka
TK35N65W5,S1F Fotky
TK35N65W5,S1F Cena
TK35N65W5,S1F Nabídka
TK35N65W5,S1F Nejnižší cena
TK35N65W5,S1F Vyhledávání
TK35N65W5,S1F Nákup
TK35N65W5,S1F Chip