Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK55D10J1(Q)
MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
Číslo dílu
TK55D10J1(Q)
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220(W)
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
55A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10.5 mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5700pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40220 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK55D10J1(Q)
TK55D10J1(Q) Elektronické komponenty
TK55D10J1(Q) Odbyt
TK55D10J1(Q) Dodavatel
TK55D10J1(Q) Distributor
TK55D10J1(Q) Datová tabulka
TK55D10J1(Q) Fotky
TK55D10J1(Q) Cena
TK55D10J1(Q) Nabídka
TK55D10J1(Q) Nejnižší cena
TK55D10J1(Q) Vyhledávání
TK55D10J1(Q) Nákup
TK55D10J1(Q) Chip