TK55S10N1,LQ
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Číslo dílu
TK55S10N1,LQ
Výrobce/značka
Série
U-MOSVIII-H
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK+
Ztráta energie (max.)
157W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
55A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.5 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3280pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42763 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK55S10N1,LQ
TK55S10N1,LQ Elektronické komponenty
TK55S10N1,LQ Odbyt
TK55S10N1,LQ Dodavatel
TK55S10N1,LQ Distributor
TK55S10N1,LQ Datová tabulka
TK55S10N1,LQ Fotky
TK55S10N1,LQ Cena
TK55S10N1,LQ Nabídka
TK55S10N1,LQ Nejnižší cena
TK55S10N1,LQ Vyhledávání
TK55S10N1,LQ Nákup
TK55S10N1,LQ Chip