TPN11006NL,LQ
MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Číslo dílu
TPN11006NL,LQ
Výrobce/značka
Série
U-MOSVIII-H
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Ztráta energie (max.)
700mW (Ta), 30W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11.4 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 200µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20461 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TPN11006NL,LQ
TPN11006NL,LQ Elektronické komponenty
TPN11006NL,LQ Odbyt
TPN11006NL,LQ Dodavatel
TPN11006NL,LQ Distributor
TPN11006NL,LQ Datová tabulka
TPN11006NL,LQ Fotky
TPN11006NL,LQ Cena
TPN11006NL,LQ Nabídka
TPN11006NL,LQ Nejnižší cena
TPN11006NL,LQ Vyhledávání
TPN11006NL,LQ Nákup
TPN11006NL,LQ Chip