Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TPN1110ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Číslo dílu
TPN1110ENH,L1Q
Výrobce/značka
Série
U-MOSVIII-H
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Ztráta energie (max.)
700mW (Ta), 39W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
114 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14543 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TPN1110ENH,L1Q
TPN1110ENH,L1Q Elektronické komponenty
TPN1110ENH,L1Q Odbyt
TPN1110ENH,L1Q Dodavatel
TPN1110ENH,L1Q Distributor
TPN1110ENH,L1Q Datová tabulka
TPN1110ENH,L1Q Fotky
TPN1110ENH,L1Q Cena
TPN1110ENH,L1Q Nabídka
TPN1110ENH,L1Q Nejnižší cena
TPN1110ENH,L1Q Vyhledávání
TPN1110ENH,L1Q Nákup
TPN1110ENH,L1Q Chip