Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TPN1600ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Číslo dílu
TPN1600ANH,L1Q
Výrobce/značka
Série
U-MOSVIII-H
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Ztráta energie (max.)
700mW (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15000 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TPN1600ANH,L1Q
TPN1600ANH,L1Q Elektronické komponenty
TPN1600ANH,L1Q Odbyt
TPN1600ANH,L1Q Dodavatel
TPN1600ANH,L1Q Distributor
TPN1600ANH,L1Q Datová tabulka
TPN1600ANH,L1Q Fotky
TPN1600ANH,L1Q Cena
TPN1600ANH,L1Q Nabídka
TPN1600ANH,L1Q Nejnižší cena
TPN1600ANH,L1Q Vyhledávání
TPN1600ANH,L1Q Nákup
TPN1600ANH,L1Q Chip