Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TPN2010FNH,L1Q

TPN2010FNH,L1Q

MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Číslo dílu
TPN2010FNH,L1Q
Série
U-MOSVIII-H
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Ztráta energie (max.)
700mW (Ta), 39W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
198 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45767 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TPN2010FNH,L1Q
TPN2010FNH,L1Q Elektronické komponenty
TPN2010FNH,L1Q Odbyt
TPN2010FNH,L1Q Dodavatel
TPN2010FNH,L1Q Distributor
TPN2010FNH,L1Q Datová tabulka
TPN2010FNH,L1Q Fotky
TPN2010FNH,L1Q Cena
TPN2010FNH,L1Q Nabídka
TPN2010FNH,L1Q Nejnižší cena
TPN2010FNH,L1Q Vyhledávání
TPN2010FNH,L1Q Nákup
TPN2010FNH,L1Q Chip