Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TPN22006NH,LQ

TPN22006NH,LQ

MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
Číslo dílu
TPN22006NH,LQ
Série
U-MOSVIII-H
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Ztráta energie (max.)
700mW (Ta), 18W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34692 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TPN22006NH,LQ
TPN22006NH,LQ Elektronické komponenty
TPN22006NH,LQ Odbyt
TPN22006NH,LQ Dodavatel
TPN22006NH,LQ Distributor
TPN22006NH,LQ Datová tabulka
TPN22006NH,LQ Fotky
TPN22006NH,LQ Cena
TPN22006NH,LQ Nabídka
TPN22006NH,LQ Nejnižší cena
TPN22006NH,LQ Vyhledávání
TPN22006NH,LQ Nákup
TPN22006NH,LQ Chip