Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TPN2R805PL,L1Q
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Číslo dílu
TPN2R805PL,L1Q
Výrobce/značka
Série
U-MOSIX-H
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
175°C
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Ztráta energie (max.)
2.67W (Ta), 104W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
45V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
139A (Ta), 80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 300µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3.2nF @ 22.5V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51771 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TPN2R805PL,L1Q
TPN2R805PL,L1Q Elektronické komponenty
TPN2R805PL,L1Q Odbyt
TPN2R805PL,L1Q Dodavatel
TPN2R805PL,L1Q Distributor
TPN2R805PL,L1Q Datová tabulka
TPN2R805PL,L1Q Fotky
TPN2R805PL,L1Q Cena
TPN2R805PL,L1Q Nabídka
TPN2R805PL,L1Q Nejnižší cena
TPN2R805PL,L1Q Vyhledávání
TPN2R805PL,L1Q Nákup
TPN2R805PL,L1Q Chip