Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRC630PBF
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
Číslo dílu
IRC630PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-5
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-5
Ztráta energie (max.)
74W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Current Sensing
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38983 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRC630PBF
IRC630PBF Elektronické komponenty
IRC630PBF Odbyt
IRC630PBF Dodavatel
IRC630PBF Distributor
IRC630PBF Datová tabulka
IRC630PBF Fotky
IRC630PBF Cena
IRC630PBF Nabídka
IRC630PBF Nejnižší cena
IRC630PBF Vyhledávání
IRC630PBF Nákup
IRC630PBF Chip