Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRC640PBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5
Číslo dílu
IRC640PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-5
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-5
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Current Sensing
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5181 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRC640PBF
IRC640PBF Elektronické komponenty
IRC640PBF Odbyt
IRC640PBF Dodavatel
IRC640PBF Distributor
IRC640PBF Datová tabulka
IRC640PBF Fotky
IRC640PBF Cena
IRC640PBF Nabídka
IRC640PBF Nejnižší cena
IRC640PBF Vyhledávání
IRC640PBF Nákup
IRC640PBF Chip