IRF510STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Číslo dílu
IRF510STRRPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (D²Pak)
Ztráta energie (max.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
540 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36495 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF510STRRPBF
IRF510STRRPBF Elektronické komponenty
IRF510STRRPBF Odbyt
IRF510STRRPBF Dodavatel
IRF510STRRPBF Distributor
IRF510STRRPBF Datová tabulka
IRF510STRRPBF Fotky
IRF510STRRPBF Cena
IRF510STRRPBF Nabídka
IRF510STRRPBF Nejnižší cena
IRF510STRRPBF Vyhledávání
IRF510STRRPBF Nákup
IRF510STRRPBF Chip