Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF530S

IRF530S

MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Číslo dílu
IRF530S
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.7W (Ta), 88W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
160 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
670pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15490 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRF530S
IRF530S Elektronické komponenty
IRF530S Odbyt
IRF530S Dodavatel
IRF530S Distributor
IRF530S Datová tabulka
IRF530S Fotky
IRF530S Cena
IRF530S Nabídka
IRF530S Nejnižší cena
IRF530S Vyhledávání
IRF530S Nákup
IRF530S Chip