Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF820LPBF
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
Číslo dílu
IRF820LPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47021 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF820LPBF
IRF820LPBF Elektronické komponenty
IRF820LPBF Odbyt
IRF820LPBF Dodavatel
IRF820LPBF Distributor
IRF820LPBF Datová tabulka
IRF820LPBF Fotky
IRF820LPBF Cena
IRF820LPBF Nabídka
IRF820LPBF Nejnižší cena
IRF820LPBF Vyhledávání
IRF820LPBF Nákup
IRF820LPBF Chip