Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF820PBF
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
Číslo dílu
IRF820PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25186 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF820PBF
IRF820PBF Elektronické komponenty
IRF820PBF Odbyt
IRF820PBF Dodavatel
IRF820PBF Distributor
IRF820PBF Datová tabulka
IRF820PBF Fotky
IRF820PBF Cena
IRF820PBF Nabídka
IRF820PBF Nejnižší cena
IRF820PBF Vyhledávání
IRF820PBF Nákup
IRF820PBF Chip