Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF830APBF
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
Číslo dílu
IRF830APBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
74W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.4 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7001 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF830APBF
IRF830APBF Elektronické komponenty
IRF830APBF Odbyt
IRF830APBF Dodavatel
IRF830APBF Distributor
IRF830APBF Datová tabulka
IRF830APBF Fotky
IRF830APBF Cena
IRF830APBF Nabídka
IRF830APBF Nejnižší cena
IRF830APBF Vyhledávání
IRF830APBF Nákup
IRF830APBF Chip