Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF830ASPBF
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Číslo dílu
IRF830ASPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.4 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34650 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF830ASPBF
IRF830ASPBF Elektronické komponenty
IRF830ASPBF Odbyt
IRF830ASPBF Dodavatel
IRF830ASPBF Distributor
IRF830ASPBF Datová tabulka
IRF830ASPBF Fotky
IRF830ASPBF Cena
IRF830ASPBF Nabídka
IRF830ASPBF Nejnižší cena
IRF830ASPBF Vyhledávání
IRF830ASPBF Nákup
IRF830ASPBF Chip