Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF830BPBF
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220AB
Číslo dílu
IRF830BPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
104W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
325pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46728 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF830BPBF
IRF830BPBF Elektronické komponenty
IRF830BPBF Odbyt
IRF830BPBF Dodavatel
IRF830BPBF Distributor
IRF830BPBF Datová tabulka
IRF830BPBF Fotky
IRF830BPBF Cena
IRF830BPBF Nabídka
IRF830BPBF Nejnižší cena
IRF830BPBF Vyhledávání
IRF830BPBF Nákup
IRF830BPBF Chip