Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF830LPBF
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262
Číslo dílu
IRF830LPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262-3
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
610pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9220 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF830LPBF
IRF830LPBF Elektronické komponenty
IRF830LPBF Odbyt
IRF830LPBF Dodavatel
IRF830LPBF Distributor
IRF830LPBF Datová tabulka
IRF830LPBF Fotky
IRF830LPBF Cena
IRF830LPBF Nabídka
IRF830LPBF Nejnižší cena
IRF830LPBF Vyhledávání
IRF830LPBF Nákup
IRF830LPBF Chip