Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF830S

IRF830S

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Číslo dílu
IRF830S
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
610pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29762 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRF830S
IRF830S Elektronické komponenty
IRF830S Odbyt
IRF830S Dodavatel
IRF830S Distributor
IRF830S Datová tabulka
IRF830S Fotky
IRF830S Cena
IRF830S Nabídka
IRF830S Nejnižší cena
IRF830S Vyhledávání
IRF830S Nákup
IRF830S Chip