Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF830SPBF

IRF830SPBF

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Číslo dílu
IRF830SPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
610pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30892 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRF830SPBF
IRF830SPBF Elektronické komponenty
IRF830SPBF Odbyt
IRF830SPBF Dodavatel
IRF830SPBF Distributor
IRF830SPBF Datová tabulka
IRF830SPBF Fotky
IRF830SPBF Cena
IRF830SPBF Nabídka
IRF830SPBF Nejnižší cena
IRF830SPBF Vyhledávání
IRF830SPBF Nákup
IRF830SPBF Chip