Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF830STRR

IRF830STRR

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Číslo dílu
IRF830STRR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
610pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27669 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRF830STRR
IRF830STRR Elektronické komponenty
IRF830STRR Odbyt
IRF830STRR Dodavatel
IRF830STRR Distributor
IRF830STRR Datová tabulka
IRF830STRR Fotky
IRF830STRR Cena
IRF830STRR Nabídka
IRF830STRR Nejnižší cena
IRF830STRR Vyhledávání
IRF830STRR Nákup
IRF830STRR Chip