Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9Z14L
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
Číslo dílu
IRF9Z14L
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK
Ztráta energie (max.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10508 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9Z14L
IRF9Z14L Elektronické komponenty
IRF9Z14L Odbyt
IRF9Z14L Dodavatel
IRF9Z14L Distributor
IRF9Z14L Datová tabulka
IRF9Z14L Fotky
IRF9Z14L Cena
IRF9Z14L Nabídka
IRF9Z14L Nejnižší cena
IRF9Z14L Vyhledávání
IRF9Z14L Nákup
IRF9Z14L Chip