Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9Z14PBF
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
Číslo dílu
IRF9Z14PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
43W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50685 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9Z14PBF
IRF9Z14PBF Elektronické komponenty
IRF9Z14PBF Odbyt
IRF9Z14PBF Dodavatel
IRF9Z14PBF Distributor
IRF9Z14PBF Datová tabulka
IRF9Z14PBF Fotky
IRF9Z14PBF Cena
IRF9Z14PBF Nabídka
IRF9Z14PBF Nejnižší cena
IRF9Z14PBF Vyhledávání
IRF9Z14PBF Nákup
IRF9Z14PBF Chip