Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9Z14S
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Číslo dílu
IRF9Z14S
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27623 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9Z14S
IRF9Z14S Elektronické komponenty
IRF9Z14S Odbyt
IRF9Z14S Dodavatel
IRF9Z14S Distributor
IRF9Z14S Datová tabulka
IRF9Z14S Fotky
IRF9Z14S Cena
IRF9Z14S Nabídka
IRF9Z14S Nejnižší cena
IRF9Z14S Vyhledávání
IRF9Z14S Nákup
IRF9Z14S Chip