Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9Z14SPBF
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Číslo dílu
IRF9Z14SPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42970 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9Z14SPBF
IRF9Z14SPBF Elektronické komponenty
IRF9Z14SPBF Odbyt
IRF9Z14SPBF Dodavatel
IRF9Z14SPBF Distributor
IRF9Z14SPBF Datová tabulka
IRF9Z14SPBF Fotky
IRF9Z14SPBF Cena
IRF9Z14SPBF Nabídka
IRF9Z14SPBF Nejnižší cena
IRF9Z14SPBF Vyhledávání
IRF9Z14SPBF Nákup
IRF9Z14SPBF Chip