Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9Z14STRR
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Číslo dílu
IRF9Z14STRR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16997 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9Z14STRR
IRF9Z14STRR Elektronické komponenty
IRF9Z14STRR Odbyt
IRF9Z14STRR Dodavatel
IRF9Z14STRR Distributor
IRF9Z14STRR Datová tabulka
IRF9Z14STRR Fotky
IRF9Z14STRR Cena
IRF9Z14STRR Nabídka
IRF9Z14STRR Nejnižší cena
IRF9Z14STRR Vyhledávání
IRF9Z14STRR Nákup
IRF9Z14STRR Chip