Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9Z24PBF
MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB
Číslo dílu
IRF9Z24PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
60W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
280 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30335 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9Z24PBF
IRF9Z24PBF Elektronické komponenty
IRF9Z24PBF Odbyt
IRF9Z24PBF Dodavatel
IRF9Z24PBF Distributor
IRF9Z24PBF Datová tabulka
IRF9Z24PBF Fotky
IRF9Z24PBF Cena
IRF9Z24PBF Nabídka
IRF9Z24PBF Nejnižší cena
IRF9Z24PBF Vyhledávání
IRF9Z24PBF Nákup
IRF9Z24PBF Chip