Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9Z30PBF
MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB
Číslo dílu
IRF9Z30PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
74W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
50V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
140 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35677 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9Z30PBF
IRF9Z30PBF Elektronické komponenty
IRF9Z30PBF Odbyt
IRF9Z30PBF Dodavatel
IRF9Z30PBF Distributor
IRF9Z30PBF Datová tabulka
IRF9Z30PBF Fotky
IRF9Z30PBF Cena
IRF9Z30PBF Nabídka
IRF9Z30PBF Nejnižší cena
IRF9Z30PBF Vyhledávání
IRF9Z30PBF Nákup
IRF9Z30PBF Chip