Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFD123PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Číslo dílu
IRFD123PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Dodavatelský balíček zařízení
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Ztráta energie (max.)
1.3W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
270 mOhm @ 780mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9940 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFD123PBF
IRFD123PBF Elektronické komponenty
IRFD123PBF Odbyt
IRFD123PBF Dodavatel
IRFD123PBF Distributor
IRFD123PBF Datová tabulka
IRFD123PBF Fotky
IRFD123PBF Cena
IRFD123PBF Nabídka
IRFD123PBF Nejnižší cena
IRFD123PBF Vyhledávání
IRFD123PBF Nákup
IRFD123PBF Chip