Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL11N50APBF
MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
Číslo dílu
IRFSL11N50APBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262-3
Ztráta energie (max.)
190W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
550 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1426pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30347 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL11N50APBF
IRFSL11N50APBF Elektronické komponenty
IRFSL11N50APBF Odbyt
IRFSL11N50APBF Dodavatel
IRFSL11N50APBF Distributor
IRFSL11N50APBF Datová tabulka
IRFSL11N50APBF Fotky
IRFSL11N50APBF Cena
IRFSL11N50APBF Nabídka
IRFSL11N50APBF Nejnižší cena
IRFSL11N50APBF Vyhledávání
IRFSL11N50APBF Nákup
IRFSL11N50APBF Chip