Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL31N20DTRR
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
Číslo dílu
IRFSL31N20DTRR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
82 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2370pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8802 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL31N20DTRR
IRFSL31N20DTRR Elektronické komponenty
IRFSL31N20DTRR Odbyt
IRFSL31N20DTRR Dodavatel
IRFSL31N20DTRR Distributor
IRFSL31N20DTRR Datová tabulka
IRFSL31N20DTRR Fotky
IRFSL31N20DTRR Cena
IRFSL31N20DTRR Nabídka
IRFSL31N20DTRR Nejnižší cena
IRFSL31N20DTRR Vyhledávání
IRFSL31N20DTRR Nákup
IRFSL31N20DTRR Chip