Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL9N60APBF
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
Číslo dílu
IRFSL9N60APBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK
Ztráta energie (max.)
170W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39839 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL9N60APBF
IRFSL9N60APBF Elektronické komponenty
IRFSL9N60APBF Odbyt
IRFSL9N60APBF Dodavatel
IRFSL9N60APBF Distributor
IRFSL9N60APBF Datová tabulka
IRFSL9N60APBF Fotky
IRFSL9N60APBF Cena
IRFSL9N60APBF Nabídka
IRFSL9N60APBF Nejnižší cena
IRFSL9N60APBF Vyhledávání
IRFSL9N60APBF Nákup
IRFSL9N60APBF Chip