Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLD014PBF
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
Číslo dílu
IRLD014PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Dodavatelský balíček zařízení
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Ztráta energie (max.)
1.3W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35259 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLD014PBF
IRLD014PBF Elektronické komponenty
IRLD014PBF Odbyt
IRLD014PBF Dodavatel
IRLD014PBF Distributor
IRLD014PBF Datová tabulka
IRLD014PBF Fotky
IRLD014PBF Cena
IRLD014PBF Nabídka
IRLD014PBF Nejnižší cena
IRLD014PBF Vyhledávání
IRLD014PBF Nákup
IRLD014PBF Chip