Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLD110PBF
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Číslo dílu
IRLD110PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Dodavatelský balíček zařízení
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Ztráta energie (max.)
1.3W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
540 mOhm @ 600mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14646 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLD110PBF
IRLD110PBF Elektronické komponenty
IRLD110PBF Odbyt
IRLD110PBF Dodavatel
IRLD110PBF Distributor
IRLD110PBF Datová tabulka
IRLD110PBF Fotky
IRLD110PBF Cena
IRLD110PBF Nabídka
IRLD110PBF Nejnižší cena
IRLD110PBF Vyhledávání
IRLD110PBF Nákup
IRLD110PBF Chip