Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLD120PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Číslo dílu
IRLD120PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Dodavatelský balíček zařízení
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Ztráta energie (max.)
1.3W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
270 mOhm @ 780mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34633 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLD120PBF
IRLD120PBF Elektronické komponenty
IRLD120PBF Odbyt
IRLD120PBF Dodavatel
IRLD120PBF Distributor
IRLD120PBF Datová tabulka
IRLD120PBF Fotky
IRLD120PBF Cena
IRLD120PBF Nabídka
IRLD120PBF Nejnižší cena
IRLD120PBF Vyhledávání
IRLD120PBF Nákup
IRLD120PBF Chip