Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR110PBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Číslo dílu
IRLR110PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
540 mOhm @ 2.6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43346 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR110PBF
IRLR110PBF Elektronické komponenty
IRLR110PBF Odbyt
IRLR110PBF Dodavatel
IRLR110PBF Distributor
IRLR110PBF Datová tabulka
IRLR110PBF Fotky
IRLR110PBF Cena
IRLR110PBF Nabídka
IRLR110PBF Nejnižší cena
IRLR110PBF Vyhledávání
IRLR110PBF Nákup
IRLR110PBF Chip