SIAA00DJ-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 25V
Číslo dílu
SIAA00DJ-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen IV
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SC-70-6
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SC-70-6 Single
Ztráta energie (max.)
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20.1A (Ta), 40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1090pF @ 12.5V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
+16V, -12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44225 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIAA00DJ-T1-GE3
SIAA00DJ-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIAA00DJ-T1-GE3 Odbyt
SIAA00DJ-T1-GE3 Dodavatel
SIAA00DJ-T1-GE3 Distributor
SIAA00DJ-T1-GE3 Datová tabulka
SIAA00DJ-T1-GE3 Fotky
SIAA00DJ-T1-GE3 Cena
SIAA00DJ-T1-GE3 Nabídka
SIAA00DJ-T1-GE3 Nejnižší cena
SIAA00DJ-T1-GE3 Vyhledávání
SIAA00DJ-T1-GE3 Nákup
SIAA00DJ-T1-GE3 Chip