SIAA40DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 30A SC70-6
Číslo dílu
SIAA40DJ-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen IV
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SC-70-6
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SC-70-6 Single
Ztráta energie (max.)
19.2W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
+20V, -16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49158 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIAA40DJ-T1-GE3
SIAA40DJ-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIAA40DJ-T1-GE3 Odbyt
SIAA40DJ-T1-GE3 Dodavatel
SIAA40DJ-T1-GE3 Distributor
SIAA40DJ-T1-GE3 Datová tabulka
SIAA40DJ-T1-GE3 Fotky
SIAA40DJ-T1-GE3 Cena
SIAA40DJ-T1-GE3 Nabídka
SIAA40DJ-T1-GE3 Nejnižší cena
SIAA40DJ-T1-GE3 Vyhledávání
SIAA40DJ-T1-GE3 Nákup
SIAA40DJ-T1-GE3 Chip